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铟镓砷探测器（常温型）• DT-InGaAs1650型内装国产InGaAs元件• DT-InGaAs1700-R03M型内装进口InGaAs元件• DT-InGaAs2600-R03M型内装进口大面积InGaAs元件
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| 型号/参数 | G12181-030K | G12183-030K |
| 受光面 | φ3.0 mm | φ3.0 mm |
| 像素数 | 1 | 1 |
| 封装 | 金属 | 金属 |
| 封装类别 | TO-5 | TO-5 |
| 散热 | 非冷却型 | 非冷却型 |
| 灵敏度波长范围 | 0.9 到 1.9 μm | 0.9 到 2.6 μm |
| 最大灵敏度波长（典型值） | 1.75 μm | 2.3 μm |
| 感光灵敏度（典型值） | 1.1 A/W | 1.3 A/W |
| 暗电流（最大值） | 1000 nA | 300000 nA |
| 截止频率（典型值） | 1.5 MHz | 0.8 MHz |
| 结电容（典型值） | 2000 pF | 4000 pF |
| 噪声等效功率（典型值） | 2.0×10-13 W/Hz1/2 | 3×10-12 W/Hz1/2 |
| 测量条件 | 典型值Tc=25°C，除非另有说明，感光灵敏度：λ= λp，暗电流：VR=0.5V，截止频率：VR=0V，RL=50Ω，结电容：VR =0V，f=1MHz | 典型值Tc=-25°C，除非另有说明，感光灵敏度：λ =λp，暗电流：VR=0.5V，截止频率：VR =0V，RL= 50Ω，结电容：VR =0V，f =1MHz |
G12181-030K G12183-030K
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